BC327 BC337 BC547 BD139 BD676 Transistor ชนิด NPN PNP

BC547 BD 676 BD139 Transistor ชนิด NPN ขอใบกำกับภาษีค่าสินค้าได้ โปรดทักแชทหาเราหลังสั่งซื้อทุกครั้ง! เพื่อรับลิงค์กรอกข้อมูล แพคส่งสินค้าทุกวัน จันทร์ - อาทิตย์ โกดังไทย กรุงเทพ คนไทยแท้ 100% สามารถเลือกสินค้าได้ 1 BC547 คุณสมบัติสินค้า ● ทรานซิสเตอร์ NPN แบบไบโพลาร์ ● DC Current Gain (hFE) สูงสุด 800 ● กระแสสะสมต่อเนื่อง (IC) คือ 100mA ● แรงดันไฟฐานอีซีแอล (VBE) คือ 6V ● กระแสไฟพื้นฐาน (IB) คือ 5mA สูงสุด 2 BD676 คุณสมบัติสินค้า ● ตัวระบุประเภท: BD676 ● วัสดุของทรานซิสเตอร์: Si ● ขั้ว: PNP ● การกระจายพลังงานสะสมสูงสุด(Pc): 40 W ● แรงดันไฟฟ้าฐานสะสมสูงสุด |Vcb|: 45 V ● แรงดันไฟระหว่างคอลเลคเตอร์-อิมิตเตอร์สูงสุด |Vce|: 45 V ● แรงดันไฟฐานตัวส่งสัญญาณสูงสุด |Veb|: 5 V ● กระแสไฟสะสมสูงสุด |Ic สูงสุด|: 4 A ● สูงสุด อุณหภูมิจุดเชื่อมต่อขณะใช้งาน (Tj): 150 °C ● ความถี่ในการเปลี่ยน (ฟุต): 1 MHz ● อัตราการถ่ายโอนปัจจุบันไปข้างหน้า (hFE), ขั้นต่ำ: 750 3 BD139 (ใช้แทน BD679 ได้) คุณสมบัติสินค้า ● ทรานซิสเตอร์ NPN ปลอกพลาสติก ● กระแสไฟสะสมต่อเนื่อง (IC) คือ 1.5A ● แรงดันไฟฟ้าระหว่างคอลเลกเตอร์-อิมิตเตอร์ (VCE) คือ 80 V ● แรงดันไฟฟ้าฐานสะสม (VCB) คือ 80V ● กระแสฐาน (Ib) คือ 0.5A ● แรงดันพังทลายฐานตัวส่งสัญญาณ (VBE) คือ 5V ● อัตราขยายกระแส DC (hfe) คือ 40 ถึง 160 4 BC337 คุณสมบัติสินค้า ● แรงดันระหว่างขาคอลเลกเตอร์และขาอิมิเตอร์ (VCEO): 45 V ● แรงดันระหว่างขาคอลเลกเตอร์และขาเบส (VCBO): 50 V ● แรงดันระหว่างอิมิเตอร์และขาเบส (VEBO): 5 V ● กระแสไฟตรงสูงสุดของตัวสะสม (IC): 500 mA ● กำลังสูญเสีย (Pd): 625 mW ● เกนแบนด์วิธโปรดักท์ (fT): 100 MHz ● อุณหภูมิในการใช้งาน: -65°C ถึง 150°C ● บรรจุ: Reel, Cut Tape ● คอลเลกเตอร์กระแสตรง/อัตราขยายผ่านเบส (Hfe) ต่ำสุด: 250 ● กระแสไฟตรงที่รับค่า hFE สูงสุด: 250 mA ที่ 100 mA, 1 V ● ขนาด: 5.2 x 4.8 x 4.2 mm ● ประเภทสินค้า: BJT - Bipolar Transistors ● เทคโนโลยี: Si 5 BC327 คุณสมบัติสินค้า ● ขั้ว PNP ● ค่าสูงสุดแรงดันระหว่างขาคอลเลกเตอร์และขาอิมิเตอร์ (VCEO): 45 V ● แรงดันระหว่างขาคอลเลกเตอร์และขาเบส (VCBO): 50 V ● แรงดันระหว่างอิมิเตอร์และขาเบส (VEBO): 5 V ● ค่าสูงสุดของตัวสะสมกระแสไฟตรง (IC): 500 mA ● Pd - กำลังงานสูญเสีย: 625 mW ● เกนแบนด์วิธโปรดักท์ (fT): 80 MHz ● ค่าสูงสุดของอุณหภูมิในการใช้งาน: +150 °C ● กระแสไฟต่อเนื่องของคอลเลกเตอร์: -800 mA ● คอลเลกเตอร์กระแสตรง/อัตราขยายผ่านเบส (Hfe) ต่ำสุด: 250 ● กระแสไฟตรงที่รับค่า hFE สูงสุด: 600 mA ● ความสูง: 4.95 mm ● ความยาว: 4.95 mm ● เทคโนโลยี: Si ● ความกว้าง: 3.94 mm ● น้ำหนักต่อหน่วย: 453.600 mg สินค้าภายในกล่อง ทรานซิสเตอร์แบบที่เลือก x 1 ชิ้น การรับประกัน ภายใน 7 วัน (นับจากวันที่สินค้าถึงมือลูกค้า) เปลี่ยนฟรีทันที !! (กรณีเกิดความเสียหายจากโรงงานผู้ผลิตเท่านั้น) บริการให้คำแนะนำปรึกษา ฟรี !!! ทักแชทเลย