XINYI LCR-P1 เครื่องทดสอบทรานซิสเตอร์ อเนกประสงค์ วัดค่าความจุ ความต้านทาน และอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์

คุณสมบัติ: 1. การควบคุมที่แม่นยำ: ใช้การออกแบบช่องวัดอิสระที่ออกแบบมาโดยเฉพาะสำหรับไดโอดซีเนอร์ โดยมีช่วงการวัด 0.01-32V การจ่ายไฟก่อนการวัดช่วยให้มั่นใจได้ถึงการวัดที่แม่นยำ! 2. การป้องกันการไหม้สำหรับทุกการวัด: เครื่องจะคายประจุตัวเก็บประจุที่ยังไม่ได้คายประจุเมื่อเสียบและล็อค ซึ่งเป็นกลไกการป้องกันที่เป็นมิตรกับผู้ใช้เพื่อป้องกันการไหม้ 3. ซ็อกเก็ตแบบติดตั้งบนพื้นผิวที่เปลี่ยนได้เพื่อการวัดที่ยืดหยุ่น: มีซ็อกเก็ตแบบติดตั้งบนพื้นผิวที่เปลี่ยนได้เพื่อรองรับความต้องการในการทดสอบที่หลากหลายได้อย่างง่ายดาย มอบความสะดวกและประสิทธิภาพที่ไม่เคยมีมาก่อน 4. การถอดรหัสที่แม่นยำ: รองรับการถอดรหัสสัญญาณอินฟราเรด NRC เพื่อการทดสอบควบคุมระยะไกลที่สะดวก 5. การตรวจจับและการระบุอัจฉริยะที่มีประสิทธิภาพสูง: การเสียบและการหนีบที่ง่ายดาย พร้อมกับการระบุพารามิเตอร์ของอุปกรณ์อย่างรวดเร็วด้วยการคลิกเพียงครั้งเดียว ช่วยประหยัดเวลาและแรงงาน 6. การใช้งานที่หลากหลาย ตอบสนองความต้องการการทดสอบที่แตกต่างกัน: การพัฒนาผลิตภัณฑ์ การซ่อมแซมเครื่องใช้ไฟฟ้าภายในบ้าน สถาบันการศึกษา การทดลองวิจัยทางวิทยาศาสตร์ ฯลฯ พารามิเตอร์พื้นฐาน: รุ่นผลิตภัณฑ์: LCR-P1 จอแสดงผล: 1.44 นิ้ว ความจุแบตเตอรี่: แบตเตอรี่ลิเธียม 300mAh (แบตเตอรี่ลิเธียมในตัว) ข้อมูลจำเพาะการชาร์จ: USB Type-C, 5V/1A พารามิเตอร์ทางเทคนิค: ทรานซิสเตอร์: ช่วง: 10 < β < 600 คำอธิบาย: ตัวประกอบการขยาย hfe, แรงดันฐาน-อีมิเตอร์ Ube, Ic/le, กระแสตัดย้อนกลับคอลเลคเตอร์-อีมิเตอร์ lceo, lces, แรงดันตกคร่อมไปข้างหน้าของไดโอดป้องกัน Uf ไดโอด: ช่วง: แรงดันตกคร่อมไปข้างหน้า < 4.5V คำอธิบาย: แรงดันตกคร่อมไปข้างหน้า, ความจุของรอยต่อ, กระแสรั่วไหลย้อนกลับ ไดโอดซีเนธ: ช่วง: 0.01-4.5V 0.01-32V หมายเหตุ: (พื้นที่ทดสอบ 1-2-3) แรงดันตกคร่อมไปข้างหน้า, แรงดันพังทลายย้อนกลับ; (พื้นที่ทดสอบ K-A-A) แรงดันพังทลายย้อนกลับ ทรานซิสเตอร์แบบสนามแม่เหล็ก: ช่วง: JFET, IGBT, MIOSTET หมายเหตุ: ความจุเกต Cg, กระแสเดรน ld ภายใต้ Vgs, แรงดันตกคร่อมไปข้างหน้า Uf ของไดโอดป้องกัน, กระแสเดรน ld ภายใต้ Vgs, แรงดันตกคร่อมไปข้างหน้า Uf ของไดโอดป้องกัน, แรงดันเกณฑ์ Vt, ความจุเกต Cg, ความต้านทานเดรน-ซอร์ส Rds, แรงดันตกคร่อมไปข้างหน้า Uf ของไดโอดป้องกัน ไทริสเตอร์แบบทิศทางเดียว/สองทิศทาง: ช่วง: แรงดันเกณฑ์ < 5V (ไทริสเตอร์แบบทิศทางเดียว), กระแสที่กระตุ้นด้วยเกต < 6mA (ไทริสเตอร์แบบสองทิศทาง) หมายเหตุ: แรงดันเกต ตัวเกบประจุ: ช่วง: 25pF~100mF หมายเหตุ: ค่าความจุ, ตัวประกอบการสูญเสีย Vloss, ความต้านทานภายใน ESR ตัวต้านทาน: ช่วง: 0.01Ω-50MΩ หมายเหตุ: ความต้านทาน ค่า ตัวเหนี่ยวนำ: ช่วง: 10uH-1000uH หมายเหตุ: ค่าความเหนี่ยวนำ, ความต้านทาน DC แบตเตอรี่: ช่วง: 0.1-4.5V หมายเหตุ: ค่าแรงดันไฟฟ้า, ขั้วบวกและขั้วลบ ตัวถอดรหัสรีโมทคอนโทรลอินฟราเรด: ช่วง: รหัสอินฟราเรดโปรโตคอล NEC หมายเหตุ: แสดงรหัสผู้ใช้และรหัสข้อมูล และแสดงรูปคลื่นอินฟราเรดที่เกี่ยวข้อง ในแพ็คเกจประกอบด้วย: ตัวเครื่องหลัก *1 คู่มือการใช้งาน *1 สายเคเบิลข้อมูล USB Type-C *1 รุ่นทดสอบพิเศษ *1 ขอเกี่ยวทดสอบ *3