HY5012W TO-247 125V300A 2.9mΩ 500W MOSFET จาก Huayi Microelectronics

HY5012W TO-247 125V300A 2.9mΩ 500W MOSFET จาก Huayi Microelectronics ข้อมูลทางเทคนิค HY5012W (TO-247) รายการค่าที่ระบุชนิดN-Channel Power MOSFETแรงดันระหว่าง Drain-Source (VDS)125Vกระแสต่อเนื่อง (ID)300ARDS(on) (max)2.9 mΩกำลังสูญเสียรวม (PD)500Wแพ็คเกจTO-247 รองรับกระแสสูงถึง 300 แอมป์ — เหมาะกับการใช้งานเช่น: วงจรขับมอเตอร์ DC-DC Converter อินเวอร์เตอร์พลังงานแสงอาทิตย์ ระบบจ่ายไฟความถี่สูง (High-Power Switching) RDS(on) ต่ำมาก → ลดความร้อนและเพิ่มประสิทธิภาพ