80N65 IXFH80N65X2 IXTH80N65X2 ของถอดสินค้ามือสอง(ขายาว 12 mm)

80N65(mosfet) IXFH80N65X2 IXTH80N65X2 ของถอดสินค้ามือสอง(ขายาว 12 mm) ค่าลักษณะเฉพาะสำหรับสัญลักษณ์ภายใต้เงื่อนไขการทดสอบ (ทีเจ = 25°C, ยกเว้นที่ระบุไว้เป็นอย่างอื่น) สัญลักษณ์ เงื่อนไขการทดสอบ ค่าต่ำสุด (Min) ค่าปกติ (Typ) ค่าสูงสุด (Max) gfs VDS = 10V, ID = 0.5 • ID25, หมายเหตุ 1 33 S 55 S - RGi ความต้านทานขาเข้าสัญญาณเกต - - 0.6 Ω Ciss - - 8300 pF - Coss VGS = 0V, VDS = 25V, f = 1MHz - 5010 pF - Crss - - 1.6 pF - Co(er) - - 280 pF - Co(tr) - - 1160 pF - td(on) - - 32 ns - tr - - 24 ns - td(off) - - 70 ns - tf - - 11 ns - Qg(on) - - 140 nC - Qgs VGS = 10V, VDS = 0.5 • VDSS, ID = 0.5 • ID25 - 50 nC - Qgd - - 40 nC - RthJC ความต้านทานความร้อนจุดต่อจุดซิลิกอน - - 0.14 °C/W RthCS ความต้านทานความร้อนจากจุดต่อจุดซิลิกอนถึงตัวปล่อย - - 0.21 °C/W RthCS ความต้านทานความร้อนจากจุดต่อจุดซิลิกอนถึงเคส - - 0.15 °C/W